TSMC completa la infraestructura de diseño de 5 nm, allanando el camino para el avance de silicio

TSMC anunció que ha completado el diseño de infraestructura para el proceso de 5 nm, que es el siguiente paso en la evolución de Silicon cuando se trata de densidad y rendimiento. El proceso de 5 nm de TSMC aprovechará la segunda implementación de la compañía de la tecnología EUV (Extreme Ultra Violet) (después de que se integra en su proceso de 7 nm primero), lo que permite mejores rendimientos y beneficios de rendimiento.

Según TSMC, el proceso de 5 nm permitirá hasta 1,8 veces la densidad lógica de su proceso de 7 nm, una ganancia de velocidad de reloj del 15% debido a mejoras del proceso solo en un ejemplo de núcleo Arm Cortex-A72, así como SRAM y circuito analógico reducción de área, lo que significa un mayor número de fichas por oblea. El proceso está siendo orientado para aplicaciones móviles, de Internet y de computación de alto rendimiento. TSMC también proporciona herramientas en línea para escenarios de flujo de diseño de silicio que están optimizados para su proceso de 5 nm. La producción de riesgo ya está en curso.